东南大学电子科学与工程学院三项存内计算研究成果发表于固态电路领域顶会ISSCC

发布者:倪明发布时间:2023-03-02浏览次数:757

日前,2023年度第70届IEEE国际固态电路会议 (International Solid-State Circuits Conference,ISSCC)在美国举行。东南大学电子科学与工程学院国家ASIC工程中心杨军教授、司鑫副研究员和蔡浩副教授的三项存内计算研究成果在本届会议上发表并作了大会报告,是本届ISSCC在存储器、存内计算领域报道最多的单位。ISSCC是固态电路领域的顶级学术会议之一,于1954年创立,现已成为集成电路设计领域最重要的学术盛会,吸引了来自全球学术界和工业界的顶尖科学家和工程师参会。

  

 

东南大学科研团队在本届会议上发表的三项成果分别是:

“A 28nm 64-kb 31.6-TFLOPS/W Digital-Domain Floating-Point-Computing-Unit and Double-Bit 6T-SRAM Computing-in-Memory Macro for Floating-Point CNNs”,报道了一款面向浮点卷积神经网络的存内计算芯片,采用了双6T存储单元和高位全精度低位近似计算单元结构,是领域内首个发表的浮点存内计算方案。东南大学博士生郭安为论文第一作者。

“A 28nm Horizontal-Weight-Shift and Vertical-Feature-Shift-Based Separate-WL 6T-SRAM Computation-in-Memory Unit-Macro for Edge Depthwise Neural-Networks”,针对现如今CIM架构无法高效支持Depth-wise卷积计算的问题,提出了一种可同时支持存内计算和存内移位的SRAM-CIM芯片,是第一个高效支持MobileNet存内计算的方案。东南大学博士生王博为论文第一作者。

“A 28nm 2Mb STT-MRAM Computing-in-Memory Macro with a Refined Bit-Cell and 22.4 – 41.5TOPS/W for AI Inference”,提出了一种基于新型非易失性存储器MRAM的存内计算芯片,克服了MRAM由于器件自身缺陷不适用于存内计算的难题,是中国大陆首篇在ISSCC上发表的MRAM存储与存算工作论文。东南大学蔡浩副教授为论文第一作者。

东南大学高能效计算团队后续将在此研究基础上,继续在高能效大算力的AI计算芯片等领域开展深入研究。