1985年本科毕业于中国科技大学物理系；
1987年获日本文部省奖学金赴日本东京大学攻读博士学位；
1992年获东京大学工学博士学位。

1996-2000年新加坡国立大学电子工程系李光耀杰出博士后

1992年至1996年在日本奥林巴斯(Olympus)株式会社任主管工程师。在此期间，因发明专利众多(包括日本发明专利七项和美国发明专利一项)，获颁1994年公司最高荣誉奖---奥林巴斯社长(总裁)奖；
1996至2000年，以李光耀杰出博士后身份，在新加坡国立大学电子工程系任高级研究员。在此期间，出版英文学术专著二部，获得美国和新加坡授权发明专利各一项以及发表SCI收录学术论文二十余篇；
2000至2003年在美国硅谷高科技公司Nova Crystals任高级工程师，从事蓝光LED的晶体生长和工艺技术以及光通讯用面发光半导体激光器的研发工作；2004至2006年在加拿大Simon Fraser大学MOCVD研究中心任研究科学家，从事GaAsSb异质结双极晶体管(HBT)的研发工作；
2006至2008年回国任无锡蓝星电子有限公司总经理，主持氮化镓基高亮度蓝光LED的研发工作；
2009年2月起任东南大学电子科学与工程学院教授、博士生导师。

1. 大四专业选修课《新型光电子材料与器件》；

2. 研究生全英文专业学位课《光电子器件物理》。

自1987年10月在日本东京大学应用物理系攻读博士学位起，一直从事以砷化镓，磷化铟和氮化镓等为基础的化合物半导体材料的MOCVD外延生长和相关光电子器件，如LED，光调制器，面发光激光器，异质结双极晶体管(HBT)以及高电子迁移度晶体管(HEMT)制备技术的研发工作。取得的主要成果有：发表在Appl. Phys. Lett., Opt. Express, J. Appl. Phys., ACS Photonics,J. Crystal Growth, IEEE J. Quantum Electronics等国际一流学术期刊上的英文SCI论文120余篇；英文学术专著2部；美国授权专利2项，新加坡授权专利1项，申请中国发明专利45项（其中已获得授权39项）。曾荣获日本政府文部省（教育部）国费留学生奖学金，新加坡李光耀杰出博士后奖学金（全新加坡每年仅4人获此殊荣），日本奥林巴斯公司最高荣誉奖—社长奖，并于2007年被授予江苏省首批引进的高层次创新创业人才奖，2009年获得江苏省政府六大人才高峰项目资助，2015年和2021年分别获得江苏省重点研发计划(产业前瞻与共性关键技术)项目资助。