【个人资料】

姓名：孙 俊

性别：男

民族：汉

出生年月：1988年1月

入学时间：2010年3月

政治面貌：党员

专业：微电子与固体电子学

攻读学位：工学博士

【科研成果】

基于透射电子显微镜，结合分子动力学，开展了新型纳米材料和器件的原位动态研究，已在Advanced Materials, APL, Acta Mechanica Sinica等国际期刊发表SCI 文章4篇，EI 文章3篇，参加国际会议3次，口头报告1次，海报文章展示3次。

具体成果有：

1、通过In-situ TEM方法，首次动态地观察ZrO2基RRAM器件中Ag/Cu导电细丝有悖于经典论的生长和破灭过程，并提出了一种全新的导电细丝生长破灭机理。

2、 原位观察了兼容CMOS工艺的镍基RRAM器件的工作过程，结合I-V曲线和EDX分析，提出了镍作为活泼电极的可能性。

3 、在TEM内研究了碳纳米材料的力电性能，利用碳管中的电迁移现象，结合分子动力学，提出了一些新颖的碳基器件原型。

【学习感悟】

南朝陶弘景有言：“一事不知，深以为耻”。

对未知事物寻根问底，抽丝剥茧，千回百转，最后水落石出，其实是一种美妙的自我体验。