张雄(外籍)

发布者:陈国华发布时间:2014-09-18浏览次数:6025

基本资料
姓名:张 雄(外籍)性别:
学历:博士生日:1962年11月
职称:教授、博导职务:江苏省照明学会常务理事
电话:025-83792470-8109Email:xzhang62@aliyun.com
研究方向
近年来一直从事化合物半导体材料和器件,如LED,HBT,半导体激光器等的研发工作。目前正在开展以氮化镓(GaN)为基础的宽禁带半导体材料和器件,特别是高亮度蓝光及紫外LED的研发工作。
个人简历

1985年本科毕业于中国科技大学物理系;
1987年获日本文部省奖学金赴日本东京大学攻读博士学位;
1992年获工学博士学位;
1992年至1996年在日本奥林巴斯(Olympus)株式会社任主管工程师。在此期间,因发明专利众多(包括日本发明专利七项和美国发明专利一项),获颁1994年公司最高荣誉奖---奥林巴斯社长(总裁)奖;
1996至2000年,以李光耀杰出博士后身份,在新加坡国立大学电子工程系任高级研究员。在此期间,出版英文学术专著二部,获得美国和新加坡授权发明专利各一项以及发表SCI收录学术论文二十余篇;
2000至2003年在美国硅谷高科技公司Nova Crystals任高级工程师,从事蓝光LED的晶体生长和工艺技术以及光通讯用面发光半导体激光器的研发工作;2004至2006年在加拿大Simon Fraser大学MOCVD研究中心任研究科学家,从事GaAsSb异质结双极晶体管(HBT)的研发工作;
2006至2008年回国任无锡蓝星电子有限公司总经理,主持氮化镓基高亮度蓝光LED的研发工作;
2009年2月起任东南大学电子科学与工程学院教授、博士生导师。

研究成果

自1987年10月在日本东京大学应用物理系攻读博士学位起,一直从事以砷化镓,磷化铟和氮化镓等为基础的化合物半导体材料的MOCVD外延生长和相关光电子器件,如LED,光调制器,面发光激光器和异质结双极晶体管(HBT)的工艺研发工作。取得的主要成果有:发表在Appl. Phys. Lett., Opt. Express, J. Appl. Phys., J. Crystal Growth, IEEE J. Quantum Electronics等国际一流学术期刊上的英文SCI论文50余篇;英文学术专著2部;美国授权专利2项,新加坡授权专利1项,申请中国专利25项(其中已获得授权7项)。曾荣获日本政府文部省(教育部)国费留学生奖学金,新加坡李光耀杰出博士后奖学金(全新加坡每年仅4人获此殊荣),日本奥林巴斯公司最高荣誉奖—社长奖,并于2007年被授予江苏省首批引进的高层次创新创业人才奖,2009年获得江苏省政府"六大人才高峰"项目资助,2015年获得江苏省重点研发计划(产业前瞻与共性关键技术)项目资助。