刘斯扬
发布时间: 2014-04-27      访问次数: 5221

2013年研究生国家奖学金获奖学生风采录

【个人资料】

姓名:刘斯扬

性别:男

民族:汉

出生年月:19875

入学时间:20113

政治面貌:党员

专业:微电子学与固体电子学

攻读学位:工学博士

【科研成果】

 获奖:

项目“硅基功率集成的可靠性关键技术与应用”获2013年教育部技术发明一等奖(第四完成人)

 发表的相关论文:

[1]. Siyang Liu, Weifeng Sun, Qingsong Qian, Jing Zhu, “Comparisons of hot-carrier degradation behavior in SOI-LIGBT and SOI-LDMOS with different stress conditions”, Solid-State Electronics, 2010(54), p1598-1601. (SCI收录,影响因子1.482)

[2]. Siyang Liu, Weifeng Sun, Chuchu Ye, Zhenghua Tang, Qinsong Qian “A Novel pLEDMOS Device 
with Large Current Capability and High Reliability for PDP Scan Driver IC”, 
Semiconductor Science and Technology, 2012(27), p1-5. (SCI收录,影响因子1.921) 

[3]. Siyang Liu, Weifeng Sun, Weijun Wan, Qinsong Qian,Tingting Huang “Hot-carrier Degradation Mechanism for p-type Symmetric LDMOS Transistor with Thick Gate Oxide”, Electronics Letters, 2012, Vol. 48, No.24. (SCI收录,影响因子1.038)

[4]. Siyang Liu, Tingting Huang, Weifeng Sun, Chunwei Zhang, “Reliability Concern and Design for
 the Lateral Insulator Gate Bipolar Transistor Based on SOI Substrate”, 
Solid-State Electronics, 2013(85), p28-35. (SCI收录,影响因子1.482)

[5]. Siyang Liu, Weifeng Sun, Chunwei Zhang, Tingting Huang, Qinsong Qian “A Novel Model of Hot-carrier Degradation for Lateral IGBT Device on SOI Substrate”, Electronics Letters, 2013, Vol. 49, No.7. (SCI收录,影响因子1.038)

[6]. Siyang Liu, Weifeng Sun, Weijun Wan, Wei Su, Shaorong Wang, Sulang Ma, “Anomalous Hot-Carrier-Induced Linear Drain Current Degradation of LDMOS Under Pulse Gate Stress With Different Amplitudes”, 
IEEE Electron Device Letters, 2013, Vol. 34, No.6, p786-788. (SCI收录,影响因子2.789)

[7]. Siyang Liu, Weifeng Sun, Rongxia Zhu, Tingting Huang, Chunwei Zhang, “Off-State Stress Degradation Analysis and Optimization for the High-Voltage SOI-pLEDMOS With Thick Gate Oxide”, IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, Vol. 60, No.11, p3632-3638. (SCI收录,影响因子2.062)

[8]. Siyang Liu, Rongxia Zhu, Kan Jia, Dong Huang, Weifeng Sun, Chunwei Zhang, “A Novel Model of the High-voltage VDMOS for the Circuit Simulation”, Solid-State Electronics, 2014(93), p21-26. (SCI收录,影响因子1.482)

【学习感悟】

博士阶段是一个充满了机遇和挑战的阶段,也是一个提升自我、塑造自我的阶段,更是一个拓展思维、培养情操的阶段。我非常幸运地能够在东南大学这样一个具有严谨治学氛围以及诸多实践机会的平台上度过我的博士生涯。在几年的学习和生活中,我的体会主要有三点:科研为本,探索进取;结合实践,学以致用;团队至上,齐力断金。