ASIC中心孙伟锋教授团队参加第30届国际功率半导体器件与集成电路年会
发布时间:2018-05-18  访问次数:13

2018513日~518日,东南大学国家ASIC工程技术研究中心孙伟锋教授团队一行8位师生赴美国芝加哥参加第30届国际功率半导体器件与集成电路年会(International symposium on Power Semiconductor Devices and ICs,简称ISPSD)。该会议是由IEEE Electron Devices Society (EDS) IEEE Power Electronics Society (PELS) IEE Japan (IEEJ)联合举办的功率半导体领域国际顶级学术会议,代表全球功率器件及功率集成电路的最高研究水平。

今年ASIC工程中心投稿的6篇论文全部被录用,其中包含2篇口头报告(Oral)和4篇张贴报告(Poster),这是该团队继2012201320152016年后,再次以100%录用率的佳绩获得国际同行的高度认可。此次录用的6篇论文涵盖功率集成器件、智能功率集成电路及宽禁带功率器件等多项热点研究内容,其中陆扬扬博士的“A 600V High-side Gate Drive Circuit with Ultra-low Propagation Delay for Enhancement Mode GaN Devices”一文,为中国大陆地区在ISPSD 上录用的第一篇功率集成电路方向的Oral论文。参会师生与国际同行学者进行了广泛而深入的交流,充分展示了团队的研究成果,得到与会代表的好评!